Cấu trúc: Ống CRC epoxy 38x38x1,5mm; Mặt bàn 19mm; 4×2,5×2,5ft; 3 ngăn kéo;
Thảm chống tĩnh điện
1. Thiết bị đo Band Gap 4 đầu dò:
Đầu dò lò xo, cách nhau 2mm, collinear; Vật liệu mẫu: Germanium
Lò nung: đến 150°C; Cảm biến LM35; Hiển thị LCD 16×2
Dòng điện: 0-15mA; Giao tiếp USB/RS232
2. Đo hiệu ứng Hall (hành vi bán dẫn trong từ trường):
Đồng hồ đo từ trường Gauss/Tesla: 0-20kG, cảm biến InAs, kết nối PC RS232
Bộ nguồn dòng: 0-3,5A, 20V; Điện từ 2 cuộn dây, 16kg
3. Thiết bị đo Band Gap cho Diode:
Nguồn DC: +15V/2,5A; Diode Germanium P-N
Hiển thị LCD 16×2; Kết nối USB/RS232
4. Máy tính để bàn: Intel i5, RAM 16GB DDR5, SSD 1TB, Win 11 Pro, Màn hình 24 inch
Ứng dụng cho sinh viên vi mạch
Phân tích khe hở vùng cấm (Band Gap) bằng phương pháp 4 mũi dò trên tinh thể Germanium, đo điện áp Hall và khảo sát hiệu ứng từ trường trên bán dẫn.
Lợi ích cho sinh viên
Trích xuất các tham số vật lý cốt lõi của vật liệu P-N, phục vụ nghiên cứu vật liệu nền và đặc tính điện từ của bán dẫn thông qua phần mềm trên PC.
Yêu cầu hệ thống
Bàn chống tĩnh điện, lò gia nhiệt (150 độ C), nguồn dòng không đổi 0-15mA, nam châm điện có nam châm 25mm, máy tính PC Intel i5 (RAM 16GB, SSD 1TB).
Yêu cầu nguồn
Nguồn AC 230V cộng trừ 10%, 50Hz, tích hợp MCB 16A.
